第340章 简化工艺（1 / 2）

几天后，他再次出现在“创客联盟”的地下室。

这一次，他手里多了一个厚厚的笔记本。

“欧阳，阿谦，先停一下。”明朗叫停了又在争论的兄弟俩，将笔记本摊开在堆满元件的工作台上：“我回去想了很久，关于我们那个屏幕，我有些新的想法。我们不能只盯着触摸屏本身，我们要做，就做整个显示模组！从tFt阵列开始！”

“什么？从阵列开始？”欧阳旭惊得眼镜都快掉了：“明哥，你知道那需要无尘车间、光刻机、镀膜机……那得花多少钱？我们这破地方怎么可能？”

“听我说完。”明朗沉稳地压压手，指着笔记本上画出的流程图：“是的，完整的tFt阵列工艺非常复杂，动辄几十上百道工序。但如果我们目标明确，只做小尺寸、低分辨率（240*320，也就是qVGA），我们可以把它压缩到十几道关键工序。这不是天方夜谭。”

他开始详细阐述他构思的简化版量产工艺：

1.阵列（Array）工艺-简化版核心

“首先，基底。我们不用追求高标准的玻璃基板，就用国产的、厚度0.5左右的钠钙玻璃就行，成本低。先进行清洗和预处理。”

“然后，第一次薄膜沉积——栅极金属层。我们用磁控溅射的方式，镀上一层钼铝钼（o-Al-o）合金层。o和玻璃附着力好，Al导电性好且便宜，上面的o层可以防止Al扩散和氧化。这是我们未来栅极线和栅电极的基础。”

“接着，第一次光刻（photo-1）。涂上光刻胶，用我们设计的栅极图案掩膜板进行曝光、显影。然后通过湿法刻蚀，把不需要的金属层蚀刻掉，形成我们设计好的栅极扫描线（GateLiFt的栅极（GateElectrode）。清洗，脱掉剩余光刻胶。”

“下一步，沉积栅极绝缘层（GI层）和半导体有源层。用pEcVd（等离子体增强化学气相沉积）设备，连续沉积氮化硅（SiNx）作为绝缘层，和非晶硅（a-Si）层作为tFt的沟道材料。这一步很关键，决定了tFt的开关特性。”

“第二次光刻（photo-2）。定义出半导体孤岛（a-SiIsnd），只保留未来tFt沟道区域的那部分a-Si，其他的用cF4\/o2等离子体干法刻蚀掉。”

“第三次薄膜沉积——源漏金属层。同样用溅射法，镀上一层和栅极类似的金属层，比如cr（铬）或者还是o-Al-o。”

“第三次光刻（photo-3）。定义出源极（Source）、漏极（dra）和数据线（dataLe）。通过刻蚀形成图案。注意，这里源漏极之间会有一个间隙，就是未来的沟道。”

“最后，沉积钝化层（passivationLayer）。再用pEcVd镀一层氮化硅，保护tacthole），露出漏极的一部分，以便后续连接像素电极。”

“沉积Ito层。用溅射法镀上氧化铟锡透明导电膜。第五次光刻（photo-5），定义出像素电极（pixelIto）。这样，阵列基板就完成了。看，核心其实就5次光刻！比标准工艺简化了一大半！”

欧阳谦听得目瞪口呆，飞速地在自己的本子上记录着，时而皱眉思考，时而恍然大悟。

明朗说的这些工艺名词他大部分在理论上都学过，但从没想过可以如此大胆地简化整合！

尤其是5次光刻的概念，极大地降低了设备投入和工艺复杂度。

“阵列基板完成后，另一边是彩膜（cF）基板。”

明朗继续讲解。

“彩膜基板相对简单：在玻璃上先涂覆黑色矩阵（b，bckatrix）材料，光刻出黑框，用来遮光和防止串扰。然后依次用光刻法制作红（R）、绿（G）、蓝（b）三种颜色的树脂色阻（lorRes）。最后再涂覆一层平整的覆盖层（oc），再溅射上一层公用的Ito电极。”

“接下来，在cF基板的边缘涂上封框胶（Seant），在阵列基板上用点胶机滴上液晶（Lc）。然后在真空环境下对位贴合，让封框胶固化，形成一个一个的‘液晶盒’。”